专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种分色镜堆-CN200410048379.X有效
  • 吴葆刚;吴佶宁;高建谧;温景悟 - 温景悟
  • 2004-06-30 - 2006-01-04 - G02B27/10
  • 本发明涉及一种分色镜堆,至少包括五透明板和至少五分色介质,所述透明板与所述分色介质相间设置,分色介质是红、绿、蓝三原色分色介质,该分色介质按白光带入射顺序,自前向后等间距且平行排列在同一条轴线上,所述三原色分色介质的长度相等,所述第二分色介质的宽度是第一分色介质宽度的二倍,所述第三分色介质的宽度大于或等于第一分色介质宽度的三倍,所述第四分色介质的宽度大于或等于第一分色介质宽度的二倍,第五分色介质的宽度大于或等于第一分色介质宽度的一倍,所述第一分色介质宽度符合数学关系式:H=L*tgA*2。
  • 一种分色镜
  • [发明专利]接触孔的金属连接结构及其制造方法-CN201711102829.2有效
  • 韩朋刚;习艳军;贺可强;杨渝书 - 上海华力微电子有限公司
  • 2017-11-10 - 2020-09-01 - H01L21/768
  • 本发明公开了一种接触孔的金属连接结构,包括:接触孔,形成于接触孔介质中;接触孔介质表面依次形成有自对准介质和金属介质;在自对准介质的表面形成有打开定义金属连接通孔的形成区域的结构;金属的形成区域由对金属介质进行介质刻蚀形成,金属连接通孔的形成区域的自对准介质在对金属介质进行介质刻蚀的过程中被同时刻蚀去除,使金属连接通孔和金属的形成区域呈自对准的一体化金属连接结构。本发明能使金属连接结构的通孔和正面金属的形成区域呈自对准的一体化结构,从而有利于金属填充,降低工艺复杂度和工艺成本。
  • 接触金属连接结构及其制造方法
  • [发明专利]半导体结构-CN202010805569.0在审
  • 林佳桦;张耀文;吴启明;蔡正原;逸群·陈;蔡子中 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2020-08-12 - 2021-07-16 - H01L51/52
  • 所述半导体结构包含金属化结构、多个导电垫及电介质。所述多个导电垫在所述金属化结构上方。所述电介质在所述金属化结构上且覆盖所述导电垫。所述电介质包含第一电介质、第二电介质及第三电介质。所述第一电介质在所述导电垫上。所述第二电介质在所述第一电介质上。所述第三电介质在所述第二电介质上。所述第一电介质的折射率小于所述第二电介质的折射率,且所述第二电介质的所述折射率小于所述第三电介质的折射率。
  • 半导体结构
  • [发明专利]制造声波装置的方法和声波装置-CN201710499132.7有效
  • 中村健太郎;松仓史弥;高桥直树;松田隆志;宫下勉 - 太阳诱电株式会社
  • 2017-06-27 - 2021-02-09 - H03H3/08
  • 一种声波装置制造方法包括以下步骤:在压电基板上形成梳状电极和联接到梳状电极的布线;在压电基板上形成第一电介质,该第一电介质具有比梳状电极和布线的厚度大的膜厚度,并且覆盖梳状电极和布线,并且由掺杂有其他元素的氧化硅或未经掺杂的氧化硅形成;在第一电介质上形成第二电介质,该第二电介质在布线上方具有开口;通过使用蚀刻液的湿法蚀刻去除由第二电介质的开口露出的第一电介质,该蚀刻液使得第二电介质的蚀刻速率小于第一电介质的蚀刻速率,使得第一电介质残存以覆盖布线的端面和梳状电极。
  • 制造声波装置方法
  • [发明专利]一种介质光栅的制作方法-CN201210105951.6有效
  • 林磊;黄富泉;周孝莲;代会娜;李广伟;张新汉 - 福州高意光学有限公司
  • 2012-04-12 - 2013-10-30 - G02B5/18
  • 本发明涉及光栅制作技术领域,公开了一种介质光栅的制作方法,首先制作母光栅;然后采用镀膜沉积技术在母光栅的光栅面上镀介质;之后利用热塑性粘结剂将一光栅基片粘结于介质上;最后将母光栅与介质分离,得到由光栅基片与介质构成的介质光栅;其中,在镀膜沉积过程中,通过控制和改变膜料的沉积方向和沉积速率,在母光栅的光栅面上形成周期倒梯形结构的介质。本发明通过控制膜料沉积方向和速度,来控制介质光栅的膜结构及厚度,避免了一些硬质膜系材料的刻蚀,同时可以实现较深凹槽深度的介质光栅的制作,适用于全息光栅的复制,有利于增加膜结构的设计及控制光栅衍射效率
  • 一种介质光栅制作方法
  • [实用新型]一种可钢化的三银LOW-E玻璃-CN201520473176.9有效
  • 邱高忠;韩君晖;陈大伟 - 太仓耀华玻璃有限公司
  • 2015-06-30 - 2015-10-28 - B32B9/04
  • 本实用新型提供一种可钢化的三银LOW-E玻璃,包括:玻璃基片以及由下至上层叠设置于所述玻璃基片上表面的第一电介质、第一阻挡、第一银、第二阻挡、第二电介质、第三阻挡、第二银、第四阻挡、第三电介质、第五阻挡、第三银、第六阻挡以及第四电介质;所述第一电介质为Si3N4,第二电介质为ITO氧化铟锡,第三电介质为氧化铬膜,第四电介质为Si3N4;所述第一~第六阻挡为Cu-N或Cu-O。所述三银LOW-E玻璃,降低遮阳系数,降低膜表面辐射率,增强玻璃的隔热和保温性能,提高玻璃耐候性。
  • 一种可钢化low玻璃
  • [实用新型]一种减反射膜玻璃-CN202021127399.7有效
  • 谭小安;王琦;吕宜超 - 深圳南玻科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
  • 2020-06-17 - 2021-04-13 - C03C17/34
  • 本实用新型公开了一种减反射膜玻璃,包括依次层叠的玻璃基底、第一中折射率介质、第二高折射率介质和第三低折射率介质;所述第一中折射率介质的折射率为1.77~1.9,所述第二高折射率介质的折射率为2.0~2.5,所述第三低折射率介质的折射率为1.47~1.53;所述第一中折射率介质为SiOxNy,其中,x/y为2/10~3/10;所述第二高折射率介质为Si3N4或Nb2O5或TiO2;所述第一中折射率介质的厚度为80nm~100nm,所述第二高折射率介质的厚度为15nm~55nm;所述第三低折射率介质的厚度为70nm~90nm。
  • 一种减反射膜玻璃

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